SiCデバイス市場の成長要因
シリコンに比べて、低いオン抵抗、高電圧、高温、および高周波性能を備えた技術的に開発された半導体は、炭化ケイ素デバイスとして知られています。家庭用電化製品での使用増加がSiCデバイス市場の成長につながっています －SiC デバイスは、高い温度、電圧、周波数しきい値などの利点により、家庭用電化製品で主に使用されています。さらに、工業化と電化の高まりにより、電気機器が適切に機能するための SiC デバイスの需要が増加しています。
SiCデバイス市場のセグメント
SiC デバイスは、LED、検出器、センサーなどの家電システムに幅広い利点をもたらします。たとえば、MOSFET やダイオードなどの SiC デバイスは、システム コストを削減し、電力効率を向上させ、電気コンポーネント デバイスのサイズを最小化しながら、より高いスイッチング周波数と電圧での信頼性を高めます。したがって、家庭用電化製品分野への投資の増加に伴い、セグメント規模は拡大すると予想されます。当社の SiC デバイス市場調査レポートによると、インドは 2025 年から 2026 年までにエレクトロニクス製造および輸出額をほぼ 3,000 億ドルに達することに取り組んでいます。
SiCデバイス市場の地域概要
アジア太平洋地域は、予測期間中にこの地域の SiC デバイス市場規模が最も速いペースで成長するため、SiC デバイスにおいて最も収益性の高い機会を提供すると予想されます。2030 年まで、アジア太平洋地域の市場は最大 35% の CAGR で成長すると予想されます。アジア太平洋地域の
SiCデバイス市場の成長の主な理由は、都市化と工業化の急速な進行に加え、地方政府によるEV導入の重視が高まっていることです。
競争力ランドスケープ
SiCデバイス市場の主要なプレーヤーは、Semiconductor Components Industries, LLC、Infineon Technologies AG、Toshiba Corporation、Fuji Electric Co., Ltd.、Mitsubishi Electric Corporation、STMicroelectronics International N.V.、WOLFSPEED, INC.、ROHM Co., Ltd.、Allegro MicroSystems, Inc.、Hitachi, Ltd.などです。
原資料: SDKI アナリティクス 公式サイト
