炭化ケイ素パワー半導体市場分析
シリコンとカーバイドからなる半導体化合物は、シリコンカーバイド（SiC）と呼ばれます。SiCはシリコンに比べて多くの利点を持っており、 故障 場強度が10倍高く、バンドギャップが3倍広いほか、デバイス構造に応じてp型とn型の特性を調整する能力も備えています。 そのため、シリコンでは達成できない革命的な性能を提供し、次世代のパワーデバイスにおける最も有望な代替材料として位置付けられています。シリコンカーバイドパワー半導体には、ガラス溶融、非鉄金属溶融、金属熱処理、フロートガラス製造、ガスヒーターのパイロットライト点火装置、セラミックおよび電子部品の製造など、幅広い商業的・産業的な応用分野があります。
主要な市場動向
シリコンカーバイド（SiC）パワー半導体市場の成長を牽引する主な要因は、エネルギー効率向上のためのSiC半導体の利用拡大、商業用および産業用アプリケーションにおけるSiCパワー半導体の浸透率向上、軍事用アプリケーションにおけるSiCパワー半導体の利用拡大、ミサイル用アプリケーションにおけるSiCパワー半導体の利用拡大、および再生可能エネルギー発電におけるSiCパワー半導体の需要拡大です。
炭化ケイ素パワー半導体市場セグメント
多様な最終用途産業からの信頼性が高く途切れない電源供給に対する需要の増加に伴い、電源供給カテゴリーはアプリケーションの種類に基づいてこのセグメントで最も高い売上高を上げるものと予測されています。無停電電源装置（UPS）、電源モジュール、電気自動車およびハイブリッド車向けのワイヤレス充電システム、パワーエレクトロニクス、IT・通信、再生可能エネルギー発電は、すべてシリコンカーバイド電源半導体の主要な応用分野です。
競争力ランドスケープ
炭化ケイ素パワー半導体市場の主なプレーヤー・メーカーには、Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, NXP Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd, Semikron International GmbH, Cree Inc., ON Semiconductor Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, などがあります。
原資料: SDKI アナリティクス 公式サイト
